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ALD212914SAL

ALD212914SAL

Nur als Referenz

Teilenummer ALD212914SAL
PNEDA Teilenummer ALD212914SAL
Beschreibung MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
Hersteller Advanced Linear Devices Inc.
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Auf Lager 3.276
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ALD212914SAL Ressourcen

Marke Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerALD212914SAL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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ALD212914SAL Technische Daten

HerstellerAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®, Zero Threshold™
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id20mV @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 10V

Leistung - max

2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerUDFN

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 10V

Leistung - max

400mW

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

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Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

389pF @ 10V

Leistung - max

730mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 25V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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