AIKW75N60CTXKSA1
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| Teilenummer | AIKW75N60CTXKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | AIKW75N60CTXKSA1 |
| Beschreibung | IC DISCRETE 600V TO247-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 10.032 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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AIKW75N60CTXKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AIKW75N60CTXKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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AIKW75N60CTXKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 428W |
| Schaltenergie | 2mJ (on), 2.5mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 470nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 33ns/330ns |
| Testbedingung | 400V, 75A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3-41 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 47A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 54A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 18A Leistung - max 206W Schaltenergie 95µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/105ns Testbedingung 400V, 18A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AC |
Hersteller Sanken Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 25A Leistung - max 60W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 40nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/200ns Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-3PF |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1350V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 30A Leistung - max 394W Schaltenergie 630µA (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/200ns Testbedingung 600V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 30A Leistung - max 300W Schaltenergie 3mJ (on), 700µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 90nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 600V, 35A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 2.1µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller ON Semiconductor Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
