AFGHL50T65SQDC
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| Teilenummer | AFGHL50T65SQDC |
| PNEDA Teilenummer | AFGHL50T65SQDC |
| Beschreibung | IGBT 650V A |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 10.440 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 16 - Apr 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AFGHL50T65SQDC Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AFGHL50T65SQDC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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AFGHL50T65SQDC Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 238W |
| Schaltenergie | 131µJ (on), 96µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 94nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 17.6ns/94.4ns |
| Testbedingung | 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 118A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 30A Leistung - max 270W Schaltenergie 1mJ (on), 270µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 44nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/75ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 120ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH) |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 164A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 320A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 82A Leistung - max 1040W Schaltenergie 4.95mJ (on), 2.78mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 215nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/192ns Testbedingung 600V, 80A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 420ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket PLUS264™ |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 33A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 27A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 9A Leistung - max 210W Schaltenergie 530µJ (on), 380µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 45nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 14ns/110ns Testbedingung 600V, 9A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
