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A2T21H360-23NR6

A2T21H360-23NR6

Nur als Referenz

Teilenummer A2T21H360-23NR6
PNEDA Teilenummer A2T21H360-23NR6
Beschreibung RF TRANS 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S
Hersteller NXP
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A2T21H360-23NR6 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerA2T21H360-23NR6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
A2T21H360-23NR6, A2T21H360-23NR6 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 483,42 KB)
PDFA2T21H360-23NR6 Datenblatt Cover
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A2T21H360-23NR6 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz2.11GHz ~ 2.2GHz
Gewinn16.8dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)10µA
Rauschzahl-
Stromtest500mA
Leistung - Leistung373W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallOM-1230-4L2L
LieferantengerätepaketOM-1230-4L2L

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

I2PAK

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

894.2MHz

Gewinn

19.7dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

15A

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

160W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

GTVA261701FA-V1-R0

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

PD57060S-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

14.3dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Straight Lead)

PTVA123501FC-V1-R0

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.2GHz ~ 1.4GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

350W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

H-37248-4

Lieferantengerätepaket

H-37248-4

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