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80279H

80279H

Nur als Referenz

Teilenummer 80279H
PNEDA Teilenummer 80279H
Beschreibung RF POWER TRANSISTOR
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 4.176
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

80279H Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer80279H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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80279H Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
Transistortyp-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Frequenz - Übergang

3.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB

Leistung - max

80W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1.5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-422A

Lieferantengerätepaket

CDFM2

TAN500

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

2500W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55ST

Lieferantengerätepaket

55ST

SD1275-01

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

70W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

M113

Lieferantengerätepaket

M113

CA3127MZ

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 100MHz

Gewinn

27dB ~ 30dB

Leistung - max

85mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

BFU550WX

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.6dB @ 900MHz

Gewinn

18dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323-3

Kürzlich verkauft

AEDS-8011-A11

AEDS-8011-A11

Broadcom

ROTARY ENCODER OPTICAL 500PPR

NVMFS5A160PLZT1G

NVMFS5A160PLZT1G

ON Semiconductor

-60V7.7MOHMSINGLE

CY37064P44-125JXC

CY37064P44-125JXC

Cypress Semiconductor

IC CPLD 64MC 10NS 44PLCC

7508110151

7508110151

Wurth Electronics Midcom

WE-UNIT OFFLINE TRANSFORMER

BAT43WS-7-F

BAT43WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323

J201

J201

ON Semiconductor

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

MT25QU512ABB8ESF-0SIT

MT25QU512ABB8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC

SI8901D-A01-GS

SI8901D-A01-GS

Silicon Labs

IC ADC 10BIT SAR 16SOIC

IM03GR

IM03GR

TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY TELECOM DPDT 2A 5VDC

AMT102-V

AMT102-V

CUI

ROTARY ENCODER INCREMENT PROGPPR

EEE-FK1J220P

EEE-FK1J220P

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 22UF 20% 63V SMD

SMBJ5.0CA-13-F

SMBJ5.0CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMB