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71V65803S133BQI8

71V65803S133BQI8

Nur als Referenz

Teilenummer 71V65803S133BQI8
PNEDA Teilenummer 71V65803S133BQI8
Beschreibung IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
Hersteller IDT, Integrated Device Technology
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Auf Lager 3.330
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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71V65803S133BQI8 Ressourcen

Marke IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer71V65803S133BQI8
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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71V65803S133BQI8 Technische Daten

HerstellerIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße9Mb (512K x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit4.2ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-TBGA
Lieferantengerätepaket165-CABGA (13x15)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50ns

Zugriffszeit

50ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

8Mb (264 Bytes x 4096 pages)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

14ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II+

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

450MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

MT29F4G16ABAEAH4-IT:E TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

63-VFBGA

Lieferantengerätepaket

63-VFBGA (9x11)

24AA014-I/MC

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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