71V416S10YG
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| Teilenummer | 71V416S10YG |
| PNEDA Teilenummer | 71V416S10YG |
| Beschreibung | IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ |
| Hersteller | IDT, Integrated Device Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.518 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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71V416S10YG Ressourcen
| Marke | IDT, Integrated Device Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 71V416S10YG |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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71V416S10YG Technische Daten
| Hersteller | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 4Mb (256K x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
| Zugriffszeit | 10ns |
| Spannung - Versorgung | 3V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 44-SOJ |
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