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71V321L35PF

71V321L35PF

Nur als Referenz

Teilenummer 71V321L35PF
PNEDA Teilenummer 71V321L35PF
Beschreibung IC SRAM 16K PARALLEL 64TQFP
Hersteller IDT, Integrated Device Technology
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Auf Lager 5.832
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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71V321L35PF Ressourcen

Marke IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer71V321L35PF
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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71V321L35PF Technische Daten

HerstellerIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße16Kb (2K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite35ns
Zugriffszeit35ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall64-LQFP
Lieferantengerätepaket64-TQFP (14x14)

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

8Gb (1G x 8)

Speicherschnittstelle

MMC

Taktfrequenz

52MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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