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71V25761S166BG

71V25761S166BG

Nur als Referenz

Teilenummer 71V25761S166BG
PNEDA Teilenummer 71V25761S166BG
Beschreibung IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
Hersteller IDT, Integrated Device Technology
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Auf Lager 4.554
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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71V25761S166BG Ressourcen

Marke IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer71V25761S166BG
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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71V25761S166BG Technische Daten

HerstellerIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße4.5Mb (128K x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit3.5ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall119-BGA
Lieferantengerätepaket119-PBGA (14x22)

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Hersteller

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

36Kb (4K x 9)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (1K x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

52MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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