70V639S15BF
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| Teilenummer | 70V639S15BF |
| PNEDA Teilenummer | 70V639S15BF |
| Beschreibung | IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA |
| Hersteller | IDT, Integrated Device Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.004 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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70V639S15BF Ressourcen
| Marke | IDT, Integrated Device Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 70V639S15BF |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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70V639S15BF Technische Daten
| Hersteller | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Speichergröße | 2.25Mb (128K x 18) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 15ns |
| Spannung - Versorgung | 3.15V ~ 3.45V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 208-LFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 208-CABGA (15x15) |
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Hersteller Honeywell Aerospace Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel, SPI Taktfrequenz 5MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 90ms Zugriffszeit 150ns Spannung - Versorgung 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur -55°C ~ 225°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 56-BCPGA Lieferantengerätepaket 56-CPGA |
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