70V639S12BFI
Nur als Referenz
Teilenummer | 70V639S12BFI |
PNEDA Teilenummer | 70V639S12BFI |
Beschreibung | IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA |
Hersteller | IDT, Integrated Device Technology |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.978 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
70V639S12BFI Ressourcen
Marke | IDT, Integrated Device Technology |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 70V639S12BFI |
Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- 70V639S12BFI Datasheet
- where to find 70V639S12BFI
- IDT, Integrated Device Technology
- IDT, Integrated Device Technology 70V639S12BFI
- 70V639S12BFI PDF Datasheet
- 70V639S12BFI Stock
- 70V639S12BFI Pinout
- Datasheet 70V639S12BFI
- 70V639S12BFI Supplier
- IDT, Integrated Device Technology Distributor
- 70V639S12BFI Price
- 70V639S12BFI Distributor
70V639S12BFI Technische Daten
Hersteller | IDT, Integrated Device Technology Inc |
Serie | - |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Speichergröße | 2.25Mb (128K x 18) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 12ns |
Zugriffszeit | 12ns |
Spannung - Versorgung | 3.15V ~ 3.45V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 208-LFBGA |
Lieferantengerätepaket | 208-CABGA (15x15) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
IDT, Integrated Device Technology Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 119-BGA Lieferantengerätepaket 119-PBGA (14x22) |
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie e•MMC™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND Speichergröße 32Gb (4G x 8) Speicherschnittstelle MMC Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Microchip Technology Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 2Kb (256 x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 2MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 2ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie Automotive, AEC-Q100, FL-L Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O, QPI Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |