6N136M
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| Teilenummer | 6N136M |
| PNEDA Teilenummer | 6N136M_190 |
| Beschreibung | OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP |
| Hersteller | Lite-On Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 108.536 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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6N136M Ressourcen
| Marke | Lite-On Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 6N136M |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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6N136M Technische Daten
| Hersteller | Lite-On Inc. |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 5000Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 19% @ 16mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | 50% @ 16mA |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 100ns, 400ns |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 20V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 8mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.4V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 25mA |
| Vce-Sättigung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 8-DIP (0.400", 10.16mm) |
| Lieferantengerätepaket | 8-DIP |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 150% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 3µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 2µs, 3µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads Lieferantengerätepaket 6-SO, 4 Lead |
