Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

5LN01SP-AC

5LN01SP-AC

Nur als Referenz

Teilenummer 5LN01SP-AC
PNEDA Teilenummer 5LN01SP-AC
Beschreibung MOSFET N-CH 50V 100MA SPA
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.420
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 19 - Apr 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

5LN01SP-AC Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer5LN01SP-AC
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
5LN01SP-AC, 5LN01SP-AC Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 944,11 KB)
PDF5LN01SP-AC Datenblatt Cover
5LN01SP-AC Datenblatt Seite 2 5LN01SP-AC Datenblatt Seite 3 5LN01SP-AC Datenblatt Seite 4 5LN01SP-AC Datenblatt Seite 5 5LN01SP-AC Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • 5LN01SP-AC Datasheet
  • where to find 5LN01SP-AC
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor 5LN01SP-AC
  • 5LN01SP-AC PDF Datasheet
  • 5LN01SP-AC Stock

  • 5LN01SP-AC Pinout
  • Datasheet 5LN01SP-AC
  • 5LN01SP-AC Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • 5LN01SP-AC Price
  • 5LN01SP-AC Distributor

5LN01SP-AC Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)50V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.57nC @ 10V
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6.6pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)250mW (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Lieferantengerätepaket3-SPA
Paket / FallSC-72

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DMT10H015LFG-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta), 42A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1871pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 35W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8

Paket / Fall

8-PowerVDFN

FQP3N60C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

565pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

IRF6616TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A (Ta), 106A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3765pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ MX

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric MX

IPA60R280P7SXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 190µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

761pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

24W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220 Full Pack

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

NTMFS4847NT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.5A (Ta), 85A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2614pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

880mW (Ta), 48.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

Kürzlich verkauft

HSMS-2820-TR1G

HSMS-2820-TR1G

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT23-3

AZ23C5V6-7-F

AZ23C5V6-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT23-3

NC7SZ08P5X

NC7SZ08P5X

ON Semiconductor

IC GATE AND 1CH 2-INP SC70-5

MT41J512M8RH-093:E

MT41J512M8RH-093:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

MC33990D

MC33990D

NXP

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

0402N471F500CT

0402N471F500CT

Walsin Technology

CAP CER 470PF 50V C0G/NP0 0402

ADG406BPZ-REEL

ADG406BPZ-REEL

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 16X1 28PLCC

74F00SC

74F00SC

ON Semiconductor

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

AD829JRZ

AD829JRZ

Analog Devices

IC VIDEO OPAMP LN HS 8-SOIC

MURS120-E3/52T

MURS120-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GP 200V 1A DO214AA

BFG591,115

BFG591,115

NXP

RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223

ABLS2-12.000MHZ-D4Y-T

ABLS2-12.000MHZ-D4Y-T

Abracon

CRYSTAL 12.0000MHZ 18PF SMD