4N30SR2M
Nur als Referenz
| Teilenummer | 4N30SR2M |
| PNEDA Teilenummer | 4N30SR2M |
| Beschreibung | OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.582 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 16 - Mär 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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4N30SR2M Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 4N30SR2M |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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4N30SR2M Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 4170Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 100% @ 10mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 5µs, 40µs (Max) |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Darlington with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 30V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 150mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 80mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 1V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Gull Wing |
| Lieferantengerätepaket | 6-SMD |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 4170Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 500% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 5µs, 100µs (Max) Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Darlington with Base Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal 150mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 80mA Vce-Sättigung (max.) 1V Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.400", 10.16mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
