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2SK3670,F(M

2SK3670,F(M

Nur als Referenz

Teilenummer 2SK3670,F(M
PNEDA Teilenummer 2SK3670-F-M_9B
Beschreibung MOSFET N-CH
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 3.510
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2SK3670 Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SK3670,F(M
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
2SK3670, 2SK3670 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 146,62 KB)
PDF2SK3670 Datenblatt Cover
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2SK3670 Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie*
FET-Typ-
Technologie-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-92MOD
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 Long Body

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.4A (Ta), 45A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20.5mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 43µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

76W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-1

Paket / Fall

8-PowerTDFN

IRFR024

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPP90R1K2C3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 310µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

STF2NK60Z

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 700mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

170pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

20W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

29A (Ta), 168A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3480pF @ 13V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 69W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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