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2SC5454-T1-A

2SC5454-T1-A

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC5454-T1-A
PNEDA Teilenummer 2SC5454-T1-A
Beschreibung RF TRANS NPN 6V 14.5GHZ SOT143
Hersteller CEL
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2SC5454-T1-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC5454-T1-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SC5454-T1-A, 2SC5454-T1-A Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 3.180,88 KB)
PDFNE67739-A Datenblatt Cover
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2SC5454-T1-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)6V
Frequenz - Übergang14.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB @ 2GHz
Gewinn12dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce75 @ 20mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketSOT-143

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6.6dB

Leistung - max

1166W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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55KT

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6.3dB

Leistung - max

875W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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M103

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.6dB

Leistung - max

60W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

M113

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 200MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

330mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

8V

Frequenz - Übergang

1.9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

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