2SC4215-O(TE85L,F)
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| Teilenummer | 2SC4215-O(TE85L,F) |
| PNEDA Teilenummer | 2SC4215-O-TE85L-F |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.974 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 6 - Mai 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2SC4215-O(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SC4215-O(TE85L,F) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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2SC4215-O(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
| Frequenz - Übergang | 550MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 5dB @ 100MHz |
| Gewinn | 23dB |
| Leistung - max | 100mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 1mA, 6V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20mA |
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | USM |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 70V Frequenz - Übergang 1.03GHz ~ 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9.2dB Leistung - max 833W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55ST Lieferantengerätepaket 55ST |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3.3V Frequenz - Übergang 15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB @ 2GHz Gewinn 14dB Leistung - max 190mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket SOT-343F |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3.3V Frequenz - Übergang 21GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB @ 2GHz Gewinn 14dB Leistung - max 115mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-523 Lieferantengerätepaket SOT-523 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz Gewinn 7dB ~ 10dB Leistung - max 130mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 140 @ 5mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 3-SuperMiniMold (M33) |
