Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

2SC2229-O(T6SAN2FM

2SC2229-O(T6SAN2FM

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC2229-O(T6SAN2FM
PNEDA Teilenummer 2SC2229-O-T6SAN2FM
Beschreibung TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.768
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 8 - Mär 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2SC2229-O(T6SAN2FM Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC2229-O(T6SAN2FM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
2SC2229-O(T6SAN2FM, 2SC2229-O(T6SAN2FM Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 138,76 KB)
PDF2SC2229-Y Datenblatt Cover
2SC2229-Y Datenblatt Seite 2 2SC2229-Y Datenblatt Seite 3 2SC2229-Y Datenblatt Seite 4 2SC2229-Y Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • 2SC2229-O(T6SAN2FM Datasheet
  • where to find 2SC2229-O(T6SAN2FM
  • Toshiba Semiconductor and Storage

  • Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O(T6SAN2FM
  • 2SC2229-O(T6SAN2FM PDF Datasheet
  • 2SC2229-O(T6SAN2FM Stock

  • 2SC2229-O(T6SAN2FM Pinout
  • Datasheet 2SC2229-O(T6SAN2FM
  • 2SC2229-O(T6SAN2FM Supplier

  • Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
  • 2SC2229-O(T6SAN2FM Price
  • 2SC2229-O(T6SAN2FM Distributor

2SC2229-O(T6SAN2FM Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)150V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 5V
Leistung - max800mW
Frequenz - Übergang120MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 Long Body
LieferantengerätepaketTO-92MOD

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

JANTXV2N3764

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/396

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

900mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 1A, 1.5V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-46

2SC3265-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

120MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236

NSV40201LT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

115mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

Leistung - max

460mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

BSP52T3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.3V @ 500µA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 500mA, 10V

Leistung - max

800mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

MMBT4126

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 1V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Kürzlich verkauft

MC9S12HZ256VAL

MC9S12HZ256VAL

NXP

IC MCU 16BIT 256KB FLASH 112LQFP

EP4CE6E22C8N

EP4CE6E22C8N

Intel

IC FPGA 91 I/O 144EQFP

TAJB106K016RNJ

TAJB106K016RNJ

CAP TANT 10UF 10% 16V 1411

LTC4300A-1CMS8#PBF

LTC4300A-1CMS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC ACCELERATOR I2C HOTSWAP 8MSOP

NTJD4152PT1G

NTJD4152PT1G

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363

MAX3387EEUG

MAX3387EEUG

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 3/3 24TSSOP

24LC512T-I/SN

24LC512T-I/SN

Microchip Technology

IC EEPROM 512K I2C 400KHZ 8SOIC

SI8442BB-D-ISR

SI8442BB-D-ISR

Silicon Labs

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

AT89C51-24AI

AT89C51-24AI

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 44TQFP

ISL21080CIH333Z-TK

ISL21080CIH333Z-TK

Renesas Electronics America Inc.

IC VREF SERIES 3.3V SOT23-3

STM32F103RCT6

STM32F103RCT6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 64LQFP

BSS123

BSS123

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23