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2SC0535T2A1-33

2SC0535T2A1-33

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC0535T2A1-33
PNEDA Teilenummer 2SC0535T2A1-33
Beschreibung IC DUAL GATE DRIVER 35A
Hersteller Power Integrations
Stückpreis
1 ---------- $2.212,1403
50 ---------- $2.108,4462
100 ---------- $2.004,7521
200 ---------- $1.901,0581
400 ---------- $1.814,6463
500 ---------- $1.728,2346
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2SC0535T2A1-33 Ressourcen

Marke Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC0535T2A1-33
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
2SC0535T2A1-33, 2SC0535T2A1-33 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 139,23 KB)
PDF2SC0535T2A1-33 Datenblatt Cover
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2SC0535T2A1-33 Technische Daten

HerstellerPower Integrations
SerieSCALE™-2
Angetriebene KonfigurationHigh-Side or Low-Side
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypIGBT
Spannung - Versorgung14.5V ~ 15.5V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)35A, 35A
Eingabetyp-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)3300V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)20ns, 25ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

-

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 12V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

5A, 5A

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

42ns, 42ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

3.7V, 7.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

9-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

9-DFN-EP (3x3)

BS2101F-E2

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

60mA, 130mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

60ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

UC2710T

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.7V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

6A, 6A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

85ns, 85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-5

Lieferantengerätepaket

TO-220-5

UCC27518DBVR

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 7ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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