2SB1275TLP
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| Teilenummer | 2SB1275TLP |
| PNEDA Teilenummer | 2SB1275TLP |
| Beschreibung | TRANS PNP 160V 1.5A SOT-428 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.848 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 24 - Apr 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2SB1275TLP Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SB1275TLP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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2SB1275TLP Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1.5A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 160V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 100mA, 1A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 82 @ 100mA, 5V |
| Leistung - max | 10W |
| Frequenz - Übergang | 50MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | CPT3 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 35mA, 700mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 50mA, 2V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 360MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket MPT3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 1A, 2V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 80MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket TO-126-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 2V Leistung - max 800mW Frequenz - Übergang 50MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
