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2SA1552T-H

2SA1552T-H

Nur als Referenz

Teilenummer 2SA1552T-H
PNEDA Teilenummer 2SA1552T-H
Beschreibung TRANS PNP 160V 1.5A TP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.466
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2SA1552T-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SA1552T-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
2SA1552T-H, 2SA1552T-H Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 302,61 KB)
PDF2SC4027T-E Datenblatt Cover
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2SA1552T-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1.5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)160V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 100mA, 5V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang120MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
LieferantengerätepaketTP

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Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

350V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 300mA, 10V

Leistung - max

40W

Frequenz - Übergang

10MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

2SCR372PFRAT100R

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

700mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 5V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

220MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

MPT3

BUT100

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

125V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

900mV @ 10A, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

300W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-204AA, TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-3

BCW33

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

32V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

ZX3CDBS1M832TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN + Diode (Isolated)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

270mV @ 125mA, 4.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

25nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2A, 2V

Leistung - max

3W

Frequenz - Übergang

140MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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