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2N6724

2N6724

Nur als Referenz

Teilenummer 2N6724
PNEDA Teilenummer 2N6724
Beschreibung TRANS NPN DARL 40V 1 AMP TO-237
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.842
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2N6724 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N6724
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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2N6724 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)40V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 2mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce4000 @ 1A, 5V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-237AA
LieferantengerätepaketTO-237

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

620mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Leistung - max

425mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SST3

BDW42G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 50mA, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 4V

Leistung - max

85W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

KSD1273PTSTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

800 @ 500mA, 4V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

30MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

CMUT5401E TR

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

220V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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