2N5770_D75Z
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| Teilenummer | 2N5770_D75Z |
| PNEDA Teilenummer | 2N5770_D75Z |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 15V TO92-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.118 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2N5770_D75Z Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N5770_D75Z |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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2N5770_D75Z Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 6dB @ 60MHz |
| Gewinn | 15dB |
| Leistung - max | 350mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 8mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn - Leistung - max 360mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB @ 2GHz Gewinn 9dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 125 @ 10mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Frequenz - Übergang 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10dB Leistung - max 7W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-39 |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.5V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz Gewinn 11dB ~ 12.5dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 2mA, 2.7V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
