2N3637L
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| Teilenummer | 2N3637L |
| PNEDA Teilenummer | 2N3637L |
| Beschreibung | TRANS PNP 175V 1A |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.820 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2N3637L Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N3637L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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2N3637L Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 175V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
| Leistung - max | 1W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-5 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 600mA, 6A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 2A, 2V Leistung - max 50W Frequenz - Übergang 12MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
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