2N3439
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2N3439 |
| PNEDA Teilenummer | 2N3439_8B |
| Beschreibung | TRANS NPN 350V 1A TO-39 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.678 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 9 - Feb 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2N3439 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N3439 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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2N3439 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 350V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
| Leistung - max | 1W |
| Frequenz - Übergang | 15MHz |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-39 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 2.5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 2mA, 5V Leistung - max 390mW Frequenz - Übergang 200MHz Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-18 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 25mA, 20V Leistung - max 830mW Frequenz - Übergang 60MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 4A, 4V Leistung - max 1.75W Frequenz - Übergang 4MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
