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2324-20

2324-20

Nur als Referenz

Teilenummer 2324-20
PNEDA Teilenummer 2324-20
Beschreibung RF TRANS 40V 2.4GHZ 55AW
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 4.644
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2324-20 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2324-20
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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2324-20 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
Transistortyp-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)40V
Frequenz - Übergang2.3GHz ~ 2.4GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn7dB
Leistung - max58W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10 @ 160mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3A
Betriebstemperatur200°C
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall55AW
Lieferantengerätepaket55AW

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

8V

Frequenz - Übergang

16GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

17.5dB

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-MCPH

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Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz

Gewinn

9dB ~ 13dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-86

Lieferantengerätepaket

86 Plastic

MT3S113TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.3V

Frequenz - Übergang

11.2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.45dB @ 1GHz

Gewinn

12.5dB

Leistung - max

900mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

230MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB ~ 10dB

Leistung - max

2.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 60mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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