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2307

2307

Nur als Referenz

Teilenummer 2307
PNEDA Teilenummer 2307
Beschreibung RF TRANS NPN 42V 2.3GHZ 55BT
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.012
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2307 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2307
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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2307 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)42V
Frequenz - Übergang2.3GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn8dB
Leistung - max20.5W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10 @ 500mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall55BT
Lieferantengerätepaket55BT

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6dB ~ 6.5dB

Leistung - max

1700W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55KT

Lieferantengerätepaket

55KT

MRF553T

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

11.5dB

Leistung - max

3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Power Macro

Lieferantengerätepaket

Power Macro

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

2SC39320SL

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

1.6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

20dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SMini3-G1

2SC5347AF-TD-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

4.7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Gewinn

8dB

Leistung - max

1.3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

135 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

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