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1N6642US

1N6642US

Nur als Referenz

Teilenummer 1N6642US
PNEDA Teilenummer 1N6642US
Beschreibung DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 16.554
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 20 - Jan 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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1N6642US Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N6642US
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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1N6642US Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)75V
Current - Average Rectified (Io)300mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.2V @ 100mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)5ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr500nA @ 75V
Kapazität @ Vr, F.5pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSQ-MELF, D
LieferantengerätepaketD-5D
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Current - Average Rectified (Io)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

660mV @ 16A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 35V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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ON Semiconductor

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AA, DO-27, Axial

Lieferantengerätepaket

Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-128

Lieferantengerätepaket

M-FLAT (2.4x3.8)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AB, MELF (Glass)

Lieferantengerätepaket

DO-213AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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