1N5829
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| Teilenummer | 1N5829 |
| PNEDA Teilenummer | 1N5829 |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO4 |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.384 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 1 - Dez 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1N5829 Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N5829 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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1N5829 Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
| Current - Average Rectified (Io) | 25A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 25A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 2mA @ 20V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-4 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie FRED Pt® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.68V @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 220ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 145µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
