1N4448TR
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Teilenummer | 1N4448TR | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | 1N4448TR_AD | ||||||||||||||||||
Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | ||||||||||||||||||
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 19.106 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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1N4448TR Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 1N4448TR |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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1N4448TR Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) | 150mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 8ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 75V |
Kapazität @ Vr, F. | 4pF @ 0V, 1MHz |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
Lieferantengerätepaket | DO-35 |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 175°C (Max) |
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Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 12pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket DO-214AC (SMA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
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