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1N4446 TR

1N4446 TR

Nur als Referenz

Teilenummer 1N4446 TR
PNEDA Teilenummer 1N4446-TR
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 7.740
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 31 - Feb 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1N4446 TR Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N4446 TR
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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1N4446 TR Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)150mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 20mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)4ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr25nA @ 20V
Kapazität @ Vr, F.4pF @ 0V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-204AH, DO-35, Axial
LieferantengerätepaketDO-35
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 200°C

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

15mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 15mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

1ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200nA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

Lieferantengerätepaket

Mini MELF

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BYM13-50-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

80pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AB, MELF

Lieferantengerätepaket

GL41 (DO-213AB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

UES1303

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

925mV @ 6A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

B, Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

SBRT4M30LP-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

TrenchSBR

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

510mV @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

60µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

150pF @ 30V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerUDFN

Lieferantengerätepaket

U-DFN3030-8

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

PR1005L-T

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-41

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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