1517-20M
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| Teilenummer | 1517-20M |
| PNEDA Teilenummer | 1517-20M |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 65V 1.65GHZ 55LV-1 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.178 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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1517-20M Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1517-20M |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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1517-20M Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 65V |
| Frequenz - Übergang | 1.48GHz ~ 1.65GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 7.6dB ~ 9.3dB |
| Leistung - max | 175W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 500mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 3A |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55LV-1 |
| Lieferantengerätepaket | 55LV-1 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 3-SSFP |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 470MHz ~ 860MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 12dB Leistung - max 17W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.2A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall 55FT Lieferantengerätepaket 55FT |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB ~ 5dB @ 100MHz Gewinn - Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 6dB @ 60MHz Gewinn 15dB Leistung - max 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
