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1214-300M

1214-300M

Nur als Referenz

Teilenummer 1214-300M
PNEDA Teilenummer 1214-300M
Beschreibung RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55ST
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.074
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1214-300M Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1214-300M
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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1214-300M Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Frequenz - Übergang1.2GHz ~ 1.4GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn7dB
Leistung - max88W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 500mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)4A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall55ST
Lieferantengerätepaket55ST

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.25dB @ 1kHz

Gewinn

-

Leistung - max

750mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

14-SOIC

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

18dB ~ 22dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Lieferantengerätepaket

TO-92S

BFQ19,115

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.3dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 70mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

300MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

82 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

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