10TQ045STRR
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| Teilenummer | 10TQ045STRR |
| PNEDA Teilenummer | 10TQ045STRR |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.874 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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10TQ045STRR Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 10TQ045STRR |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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10TQ045STRR Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 45V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 570mV @ 10A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 2mA @ 45V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 530mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 20V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123F Lieferantengerätepaket SOD-123L Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 490mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 95pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123W Lieferantengerätepaket CFP3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 30A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 30A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1.1mA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 860pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 35A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 720mV @ 35A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5mA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 3600pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket SlimDPAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Power Integrations Serie Qspeed™ Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3.1V @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 250µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
