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Beschreibung
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IXGH24N120C3

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1200V 48A 250W TO247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: GenX3™
  • IGBT-Typ: PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 48A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 96A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A
  • Leistung - max: 250W
  • Schaltenergie: 1.16mJ (on), 470µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 79nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16ns/93ns
  • Testbedingung: 600V, 20A, 5Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXGH)
Auf Lager174.026
IXGH100N30C3

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 300V 75A 460W TO247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: GenX3™
  • IGBT-Typ: PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 500A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A
  • Leistung - max: 460W
  • Schaltenergie: 230µJ (on), 520µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 162nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/105ns
  • Testbedingung: 200V, 50A, 2Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXGH)
Auf Lager239
IXA45IF1200HB

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1200V 78A 325W TO247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 78A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): -
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
  • Leistung - max: 325W
  • Schaltenergie: 3.8mJ (on), 4.1mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 106nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -
  • Testbedingung: 600V, 35A, 27Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 350ns
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247AD (HB)
Auf Lager357
FGH75T65SQDT-F155
FGH75T65SQDT-F155

ON Semiconductor

Transistoren - IGBTs - Single

650V 75A FS4 TRENCH IGBT

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 300A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Leistung - max: 375W
  • Schaltenergie: 300µJ (on), 70µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 128nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/120ns
  • Testbedingung: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 76ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247-3
Auf Lager7.307
IXGA24N120C3

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1200V 48A 250W TO263

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: GenX3™
  • IGBT-Typ: PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 48A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 96A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A
  • Leistung - max: 250W
  • Schaltenergie: 1.16mJ (on), 470µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 79nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16ns/93ns
  • Testbedingung: 600V, 20A, 5Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXGA)
Auf Lager298
IXXH30N60C3D1

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 60A 270W TO247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: GenX3™, XPT™
  • IGBT-Typ: PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 110A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
  • Leistung - max: 270W
  • Schaltenergie: 500µJ (on), 270µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 37nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/77ns
  • Testbedingung: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 25ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXXH)
Auf Lager4.662
STGW80H65FB
STGW80H65FB

STMicroelectronics

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 650V 120A 469W TO-247

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
  • Leistung - max: 469W
  • Schaltenergie: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 414nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 84ns/280ns
  • Testbedingung: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247-3
Auf Lager33
STGW15M120DF3
STGW15M120DF3

STMicroelectronics

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1200V 30A 259W

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
  • Leistung - max: 259W
  • Schaltenergie: 550µJ (on), 850µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 226nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 26ns/122ns
  • Testbedingung: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 270ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247
Auf Lager190
RJH60F0DPK-00#T0
RJH60F0DPK-00#T0

Renesas Electronics America

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P

  • Hersteller: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): -
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 25A
  • Leistung - max: 201.6W
  • Schaltenergie: -
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: -
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 46ns/70ns
  • Testbedingung: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 140ns
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
Auf Lager1.526
AOK60B65M3
AOK60B65M3

Alpha & Omega Semiconductor

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 650V 60A TO247

  • Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: Alpha IGBT™
  • IGBT-Typ: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 60A
  • Leistung - max: 500W
  • Schaltenergie: 2.6mJ (on), 1.3mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 106nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 44ns/166ns
  • Testbedingung: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 346ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247
Auf Lager3.491
NGTB50N65FL2WG
NGTB50N65FL2WG

ON Semiconductor

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 50A TO247

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
  • Leistung - max: 417W
  • Schaltenergie: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 220nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 100ns/237ns
  • Testbedingung: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 94ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247-3
Auf Lager1.024
AOK60B65H1
AOK60B65H1

Alpha & Omega Semiconductor

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 650V 60A TO-247

  • Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: Alpha IGBT™
  • IGBT-Typ: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 60A
  • Leistung - max: 500W
  • Schaltenergie: 2.42mJ (on), 1.17mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 90nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 39ns/153ns
  • Testbedingung: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 288ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247
Auf Lager4.117
IXGP30N60C3

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 60A 220W TO220AB

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: GenX3™
  • IGBT-Typ: PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
  • Leistung - max: 220W
  • Schaltenergie: 270µJ (on), 90µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 38nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16ns/42ns
  • Testbedingung: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220AB
Auf Lager2.217
NGTB50N60L2WG
NGTB50N60L2WG

ON Semiconductor

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 50A TO247

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
  • Leistung - max: 500W
  • Schaltenergie: 800µJ (on), 600µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 310nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 110ns/270ns
  • Testbedingung: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 67ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247
Auf Lager428
SGP23N60UFDTU
SGP23N60UFDTU

ON Semiconductor

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 23A 100W TO220

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A
  • Leistung - max: 100W
  • Schaltenergie: 115µJ (on), 135µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 49nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/60ns
  • Testbedingung: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 60ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220-3
Auf Lager445
SGD02N120BUMA1
SGD02N120BUMA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6.2A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 9.6A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A
  • Leistung - max: 62W
  • Schaltenergie: 220µJ
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 11nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/260ns
  • Testbedingung: 800V, 2A, 91Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3
Auf Lager6.002
AUIRGPS4070D0
AUIRGPS4070D0

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 700V SUPER PG-TO274-3-903

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • IGBT-Typ: Trench
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 240A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 360A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
  • Leistung - max: 750W
  • Schaltenergie: 5.7mJ (on), 4.2mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 250nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 40ns/140ns
  • Testbedingung: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 210ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-274AA
  • Lieferantengerätepaket: PG-TO274-3-903
Auf Lager1.956
STGW25H120F2
STGW25H120F2

STMicroelectronics

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
  • Leistung - max: 375W
  • Schaltenergie: 600µJ (on), 700µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 100nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 29ns/130ns
  • Testbedingung: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247
Auf Lager146
STGW60H60DLFB
STGW60H60DLFB

STMicroelectronics

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 80A 375W TO-247

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
  • Leistung - max: 375W
  • Schaltenergie: 626µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 306nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/160ns
  • Testbedingung: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247
Auf Lager203
IXBH40N160
IXBH40N160

IXYS

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1600V 33A 350W TO247AD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: BIMOSFET™
  • IGBT-Typ: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 33A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 7.1V @ 15V, 20A
  • Leistung - max: 350W
  • Schaltenergie: -
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 130nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -
  • Testbedingung: 960V, 20A, 22Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXBH)
Auf Lager1.011
APT35GP120BG
APT35GP120BG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1200V 96A 543W TO247

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: POWER MOS 7®
  • IGBT-Typ: PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 96A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 140A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
  • Leistung - max: 543W
  • Schaltenergie: 750µJ (on), 680µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 150nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16ns/94ns
  • Testbedingung: 600V, 35A, 5Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]
Auf Lager403
IXGH40N120C3

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1200V 75A 380W TO247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: GenX3™
  • IGBT-Typ: PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 4.4V @ 15V, 30A
  • Leistung - max: 380W
  • Schaltenergie: 1.8mJ (on), 550µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 142nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/130ns
  • Testbedingung: 600V, 30A, 3Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXGH)
Auf Lager81.214
IXGF25N250
IXGF25N250

IXYS

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 2500V 30A 114W I4-PAK

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2500V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 5.2V @ 15V, 75A
  • Leistung - max: 114W
  • Schaltenergie: -
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 75nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -
  • Testbedingung: -
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: i4-Pac™-5 (3 Leads)
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS i4-PAC™
Auf Lager746
APT100GN120B2G
APT100GN120B2G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1200V 245A 960W TMAX

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 245A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 300A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • Leistung - max: 960W
  • Schaltenergie: 11mJ (on), 9.5mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 540nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 50ns/615ns
  • Testbedingung: 800V, 100A, 1Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3 Variant
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager22
APT45GP120BG
APT45GP120BG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1200V 100A 625W TO247

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: POWER MOS 7®
  • IGBT-Typ: PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 170A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
  • Leistung - max: 625W
  • Schaltenergie: 900µJ (on), 904µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 185nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/102ns
  • Testbedingung: 600V, 45A, 5Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]
Auf Lager462
IXGH50N90B2D1

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 900V 75A 400W TO247AD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFAST™
  • IGBT-Typ: PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 900V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
  • Leistung - max: 400W
  • Schaltenergie: 4.7mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 135nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/350ns
  • Testbedingung: 720V, 50A, 5Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 200ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXGH)
Auf Lager19.049
HGTG12N60C3D
HGTG12N60C3D

ON Semiconductor

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 24A 104W TO247

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 24A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 96A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
  • Leistung - max: 104W
  • Schaltenergie: 380µJ (on), 900µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 48nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -
  • Testbedingung: -
  • Reverse Recovery Time (trr): 42ns
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247-3
Auf Lager16.686
APT25GP120BDQ1G
APT25GP120BDQ1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 1200V 69A 417W TO247

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: POWER MOS 7®
  • IGBT-Typ: PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 69A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
  • Leistung - max: 417W
  • Schaltenergie: 500µJ (on), 440µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 110nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/70ns
  • Testbedingung: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 [B]
Auf Lager493
IXBH20N360HV

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 3600V 70A TO-247HV

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: BIMOSFET™
  • IGBT-Typ: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 220A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
  • Leistung - max: 430W
  • Schaltenergie: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 110nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/238ns
  • Testbedingung: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 1.7µs
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3 Variant
  • Lieferantengerätepaket: TO-247HV
Auf Lager111
APT75GN60LDQ3G
APT75GN60LDQ3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 600V 155A 536W TO264

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 155A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 225A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
  • Leistung - max: 536W
  • Schaltenergie: 2500µJ (on), 2140µJ (off)
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: 485nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 47ns/385ns
  • Testbedingung: 400V, 75A, 1Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA
  • Lieferantengerätepaket: TO-264 [L]
Auf Lager7.277