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FP35R12W2T4B11BOMA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE 1200V 35A

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• IGBT-Typ: Trench Field Stop
• Konfiguration: Three Phase Inverter
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 54A
• Leistung - max: 215W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: Yes
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Module
• Lieferantengerätepaket: Module

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FF200R12KT4HOSA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE 1200V 200A

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: C
• IGBT-Typ: Trench Field Stop
• Konfiguration: Half Bridge
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 320A
• Leistung - max: 1100W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: No
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Module
• Lieferantengerätepaket: Module

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BSM200GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE 600V 230A

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• IGBT-Typ: -
• Konfiguration: Single
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 230A
• Leistung - max: 730W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: No
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Module
• Lieferantengerätepaket: Module

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APT150GN60JDQ4

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 220A 536W SOT227

• Hersteller: Microsemi Corporation
• Serie: -
• IGBT-Typ: Trench Field Stop
• Konfiguration: Single
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A
• Leistung - max: 536W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: No
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: ISOTOP
• Lieferantengerätepaket: ISOTOP®

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IXGN120N60A3D1

IXYS

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 200A 600V SOT-227B

• Hersteller: IXYS
• Serie: GenX3™
• IGBT-Typ: PT
• Konfiguration: Single
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A
• Leistung - max: 595W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 650µA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 14.8nF @ 25V
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: No
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
• Lieferantengerätepaket: SOT-227B

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IXDN75N120

IXYS

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 150A SOT-227B

• Hersteller: IXYS
• Serie: -
• IGBT-Typ: NPT
• Konfiguration: Single
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A
• Leistung - max: 660W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 4mA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.5nF @ 25V
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: No
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
• Lieferantengerätepaket: SOT-227B

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DDB6U84N16RRBOSA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE 1600V 60A

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• IGBT-Typ: NPT
• Konfiguration: Single Chopper
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A
• Leistung - max: 350W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 50A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: No
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Module
• Lieferantengerätepaket: Module

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MG12400D-BN2MM

Littelfuse

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 580A 1925W PKG D

• Hersteller: Littelfuse Inc.
• Serie: -
• IGBT-Typ: Trench Field Stop
• Konfiguration: Half Bridge
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 580A
• Leistung - max: 1925W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 400A (Typ)
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: No
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Module
• Lieferantengerätepaket: D3

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MG12150W-XN2MM

Littelfuse

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD 1200V 150A PKG W CRCT:X

• Hersteller: Littelfuse Inc.
• Serie: -
• IGBT-Typ: Trench Field Stop
• Konfiguration: Three Phase Inverter
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A
• Leistung - max: 625W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 150A (Typ)
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10.5nF @ 25V
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: Yes
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Module
• Lieferantengerätepaket: Module

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FS75R12KT4B15BOSA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE 1200V 75A

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• IGBT-Typ: Trench Field Stop
• Konfiguration: Three Phase Inverter
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
• Leistung - max: 385W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: Yes
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Module
• Lieferantengerätepaket: Module

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FF200R06KE3HOSA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE 600V 200A

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: C
• IGBT-Typ: Trench Field Stop
• Konfiguration: Half Bridge
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 260A
• Leistung - max: 680W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: No
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Module
• Lieferantengerätepaket: Module

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VS-GB90DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 149A 862W SOT-227

• Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• IGBT-Typ: NPT
• Konfiguration: Single
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 149A
• Leistung - max: 862W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 75A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: No
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
• Lieferantengerätepaket: SOT-227

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APT150GN120JDQ4

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 215A 625W SOT227

• Hersteller: Microsemi Corporation
• Serie: -
• IGBT-Typ: Trench Field Stop
• Konfiguration: Single
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 215A
• Leistung - max: 625W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 25V
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: No
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
• Lieferantengerätepaket: ISOTOP®

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VS-CPV364M4FPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP

• Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• IGBT-Typ: -
• Konfiguration: -
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 27A
• Leistung - max: 63W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 15A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 30V
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: No
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• Lieferantengerätepaket: IMS-2

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IXDN55N120D1

IXYS

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B

• Hersteller: IXYS
• Serie: -
• IGBT-Typ: NPT
• Konfiguration: Single
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
• Leistung - max: 450W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 55A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 3.8mA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: No
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
• Lieferantengerätepaket: SOT-227B

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FZ900R12KE4HOSA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE 1200V 900A

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: C
• IGBT-Typ: Trench Field Stop
• Konfiguration: Single
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 900A
• Leistung - max: 4300W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 56nF @ 25V
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: No
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Module
• Lieferantengerätepaket: Module

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FF400R06KE3HOSA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE 600V 400A

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: C
• IGBT-Typ: Trench Field Stop
• Konfiguration: Half Bridge
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500A
• Leistung - max: 1250W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: No
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Module
• Lieferantengerätepaket: Module

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VS-GA250SA60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 400A SOT227

• Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• IGBT-Typ: -
• Konfiguration: Single
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400A
• Leistung - max: 961W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.66V @ 15V, 200A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 16.25nF @ 30V
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: No
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: SOT-227-4
• Lieferantengerätepaket: SOT-227

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IXYN100N120C3H1

IXYS

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT XPT 1200V 134A SOT-227B

• Hersteller: IXYS
• Serie: XPT™, GenX3™
• IGBT-Typ: -
• Konfiguration: Single
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 134A
• Leistung - max: 690W
• Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
• Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V
• Eingabe: Standard
• NTC-Thermistor: No
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
• Lieferantengerätepaket: SOT-227B

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IRAM630-1062F2

Infineon Technologies

Leistungstreibermodule

MOD IPM PWR HYBRID

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: *
• Typ: -
• Konfiguration: -
• Strom: -
• Spannung: -
• Spannungsisolation: -
• Paket / Fall: -

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IRAMS06UP60B

ON Semiconductor

Leistungstreibermodule

MODULE BRIDGE DRIVER SMD

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: *
• Typ: -
• Konfiguration: -
• Strom: -
• Spannung: -
• Spannungsisolation: -
• Paket / Fall: -

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IRAMS06UP60A-2

ON Semiconductor

Leistungstreibermodule

MODULE BRIDGE DRIVER SMD

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: *
• Typ: -
• Konfiguration: -
• Strom: -
• Spannung: -
• Spannungsisolation: -
• Paket / Fall: -

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IRAM136-1561A2

ON Semiconductor

Leistungstreibermodule

MOD IPM INVERTER 3PHASE

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: *
• Typ: -
• Konfiguration: -
• Strom: -
• Spannung: -
• Spannungsisolation: -
• Paket / Fall: -

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IRAM136-1060BS

ON Semiconductor

Leistungstreibermodule

MOD IPM INVERTER 3PHASE

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: *
• Typ: -
• Konfiguration: -
• Strom: -
• Spannung: -
• Spannungsisolation: -
• Paket / Fall: -

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IRAM136-1060B

ON Semiconductor

Leistungstreibermodule

MOD IPM INVERTER 3PHASE

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: *
• Typ: -
• Konfiguration: -
• Strom: -
• Spannung: -
• Spannungsisolation: -
• Paket / Fall: -

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IRAM136-1060A

ON Semiconductor

Leistungstreibermodule

MOD IPM INVERTER 3PHASE

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: *
• Typ: -
• Konfiguration: -
• Strom: -
• Spannung: -
• Spannungsisolation: -
• Paket / Fall: -

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STK5MFU3C1A-E

ON Semiconductor

Leistungstreibermodule

MOD IPM 30A 600V 2-IN-1 23SIP

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Typ: IGBT
• Konfiguration: 3 Phase
• Strom: 53A
• Spannung: 600V
• Spannungsisolation: 2000Vrms
• Paket / Fall: 28-PowerSIP Module, 23 Leads, Formed Leads

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PSS50SA2FT

Powerex Inc.

Leistungstreibermodule

MOD IPM 6-PAC 50A 1200V DIP

• Hersteller: Powerex Inc.
• Serie: -
• Typ: IGBT
• Konfiguration: 3 Phase
• Strom: 50A
• Spannung: 1.2kV
• Spannungsisolation: 2500Vrms
• Paket / Fall: 42-PowerDip Module (1.404", 35.67mm)

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PSS35SA2FT

Powerex Inc.

Leistungstreibermodule

MOD IPM 6-PAC 35A 1200V DIP

• Hersteller: Powerex Inc.
• Serie: -
• Typ: IGBT
• Konfiguration: 3 Phase
• Strom: 35A
• Spannung: 1.2kV
• Spannungsisolation: 2500Vrms
• Paket / Fall: 42-PowerDip Module (1.404", 35.67mm)

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STGIPS20C60-H

STMicroelectronics

Leistungstreibermodule

MOD IPM SLLIMM 20A 600V 25SDIP

• Hersteller: STMicroelectronics
• Serie: SLLIMM™
• Typ: IGBT
• Konfiguration: 3 Phase
• Strom: 20A
• Spannung: 600V
• Spannungsisolation: 2500Vrms
• Paket / Fall: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm)

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