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MT44K32M36RB-093E:A
MT44K32M36RB-093E:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: DRAM
  • Speichergröße: 1.125Gb (32Mb x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 1067MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 8ns
  • Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 168-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 168-BGA
Auf Lager3.237
MT29VZZZBD9DQKPR-046 W.9M9
MT29VZZZBD9DQKPR-046 W.9M9

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH MEM 16.75G X64 MCP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: -
  • Speicherformat: -
  • Technologie: -
  • Speichergröße: -
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager2.011
CY7C2270KV18-550BZXI
CY7C2270KV18-550BZXI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II+
  • Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 550MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (13x15)
Auf Lager9.343
70V3579S5BCGI
70V3579S5BCGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 256-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)
Auf Lager282
MT53E1536M32D4DT-046 WT:A
MT53E1536M32D4DT-046 WT:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM LPDDR4 WFBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: -
  • Speicherformat: -
  • Technologie: -
  • Speichergröße: -
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager1.888
MTFC64GAJAEDN-AIT
MTFC64GAJAEDN-AIT

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 512G MMC

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: e•MMC™
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: FLASH
  • Technologie: FLASH - NAND
  • Speichergröße: 512Gb (64G x 8)
  • Speicherschnittstelle: MMC
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: -
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 169-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 169-LFBGA (14x18)
Auf Lager6.033
MTFC64GAJAEDQ-AIT
MTFC64GAJAEDQ-AIT

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 512G MMC

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: e•MMC™
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: FLASH
  • Technologie: FLASH - NAND
  • Speichergröße: 512Gb (64G x 8)
  • Speicherschnittstelle: MMC
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: -
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 100-LBGA (14x18)
Auf Lager8.392
MTFC64GAJAECE-AIT
MTFC64GAJAECE-AIT

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 512G MMC

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: e•MMC™
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: FLASH
  • Technologie: FLASH - NAND
  • Speichergröße: 512Gb (64G x 8)
  • Speicherschnittstelle: MMC
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: -
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 169-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 169-LFBGA (14x18)
Auf Lager3.561
70T3589S133BC8
70T3589S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 4.2ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 256-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)
Auf Lager229
IS49RL36160-107EBL
IS49RL36160-107EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: DRAM
  • Speichergröße: 576Mb (16M x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 933MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 8ns
  • Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 168-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
Auf Lager269
IS49RL18320-107EBL
IS49RL18320-107EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: DRAM
  • Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 933MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 8ns
  • Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 168-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
Auf Lager7
CY7C1462KV25-200AXC
CY7C1462KV25-200AXC

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: NoBL™
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 3.2ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)
Auf Lager2.052
CY7C1460AV25-200BZXC
CY7C1460AV25-200BZXC

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: NoBL™
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 3.2ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (15x17)
Auf Lager4.011
MT44K64M18RB-107E:A
MT44K64M18RB-107E:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: DRAM
  • Speichergröße: 1.125Gb (64Mb x 18)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 933MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 8ns
  • Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 168-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)
Auf Lager2.643
MT44K32M36RB-107E:A
MT44K32M36RB-107E:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: DRAM
  • Speichergröße: 1.125Gb (32Mb x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 933MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 8ns
  • Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 168-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 168-BGA
Auf Lager8.890
70V09L15PFG
70V09L15PFG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1Mb (128K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 15ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-TQFP
Auf Lager2.439
CY7C2265KV18-450BZC
CY7C2265KV18-450BZC

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, QDR II+
  • Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 450MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (13x15)
Auf Lager2.697
MT44K16M36RB-093F:B
MT44K16M36RB-093F:B

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: DRAM
  • Speichergröße: 576Mb (16M x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 1067MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 168-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)
Auf Lager147
CY7C1248KV18-400BZC
CY7C1248KV18-400BZC

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II+
  • Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 400MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (13x15)
Auf Lager4.909
70V3379S4PRFG
70V3379S4PRFG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 576K PARALLEL 128TQFP

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Speichergröße: 576Kb (32K x 18)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 4.2ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 128-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)
Auf Lager29
MT44K16M36RB-093E IT:B
MT44K16M36RB-093E IT:B

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: DRAM
  • Speichergröße: 576Mb (16M x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 1067MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 8ns
  • Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 168-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)
Auf Lager1.980
7024L20G
7024L20G

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 64K PARALLEL 84PGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 64Kb (4K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 84-BPGA
  • Lieferantengerätepaket: 84-PGA (27.94x27.94)
Auf Lager3.536
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 32Gb (1G x 32)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 2133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 200-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 200-VFBGA (10x14.5)
Auf Lager511
CY7C1460KVE25-250AXC
CY7C1460KVE25-250AXC

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: NoBL™
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 250MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 2.5ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)
Auf Lager6.511
MT44K16M36RB-093E:B
MT44K16M36RB-093E:B

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: DRAM
  • Speichergröße: 576Mb (16M x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 1067MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 8ns
  • Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 168-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)
Auf Lager691
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 32G 1866MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Speichergröße: 32Gb (512M x 64)
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: 1866MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.1V
  • Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 376-WFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 376-WFBGA (14x14)
Auf Lager3.135
CY7C1440KVE33-167AXC
CY7C1440KVE33-167AXC

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

  • Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 3.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)
Auf Lager223
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Non-Volatile
  • Speicherformat: FLASH
  • Technologie: FLASH - NAND
  • Speichergröße: 512Gb (64G x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 333MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: 132-VBGA (12x18)
Auf Lager581
70V3569S4BFG
70V3569S4BFG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 576K PARALLEL 208FPBGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Speichergröße: 576Kb (16K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 4.2ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 208-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)
Auf Lager289
7132LA35C
7132LA35C

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 16K PARALLEL SB48

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns
  • Zugriffszeit: 35ns
  • Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 48-DIP (0.600", 15.24mm)
  • Lieferantengerätepaket: 48-SIDE BRAZED
Auf Lager169