ZXMN20B28KTC Datenblatt
ZXMN20B28KTC Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 651,9 KB
Diodes Incorporated
Website: https://www.diodes.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
ZXMN20B28KTC
|
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 2.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 358pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.2W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252-3 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
