ZVP4525GTC Datenblatt
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 265mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.45nC @ 10V Vgs (Max) ±40V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 73pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 265mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.45nC @ 10V Vgs (Max) ±40V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 73pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
