VS-GB75TP120U Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-GB75TP120U
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 105A Leistung - max 500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 75A (Typ) Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.3nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket INT-A-PAK |
