VS-GB75LP120N Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-GB75LP120N
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 170A Leistung - max 658W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 75A (Typ) Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.52nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket INT-A-PAK |
