VS-GB150LH120N Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
VS-GB150LH120N
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300A Leistung - max 1389W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.87V @ 15V, 150A (Typ) Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 10.6nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK |
