VS-GB100TH120U Datenblatt
VS-GB100TH120U Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 130,18 KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
VS-GB100TH120U
|
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Leistung - max 1136W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 8.45nF @ 20V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK |
