VS-ETF150Y65U Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-ETF150Y65U
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ Trench Konfiguration Three Level Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 142A Leistung - max 417W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.06V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.6nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall EMIPAK-2B Lieferantengerätepaket EMIPAK-2B |
