VS-20MT120UFP Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-20MT120UFP
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Leistung - max 240W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.66V @ 15V, 40A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.79nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 16-MTP Module Lieferantengerätepaket MTP |