Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

VS-20MT120UFP Datenblatt

VS-20MT120UFP Datenblatt
Total Pages: 11
Größe: 271,16 KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: VS-20MT120UFP
VS-20MT120UFP Datenblatt Seite 1
VS-20MT120UFP Datenblatt Seite 2
VS-20MT120UFP Datenblatt Seite 3
VS-20MT120UFP Datenblatt Seite 4
VS-20MT120UFP Datenblatt Seite 5
VS-20MT120UFP Datenblatt Seite 6
VS-20MT120UFP Datenblatt Seite 7
VS-20MT120UFP Datenblatt Seite 8
VS-20MT120UFP Datenblatt Seite 9
VS-20MT120UFP Datenblatt Seite 10
VS-20MT120UFP Datenblatt Seite 11
VS-20MT120UFP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

240W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.66V @ 15V, 40A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.79nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

16-MTP Module

Lieferantengerätepaket

MTP