VS-18TQ045-M3 Datenblatt
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 18A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 720mV @ 36A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 2.5mA @ 45V Kapazität @ Vr, F. 1400pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 18A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 720mV @ 36A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 2.5mA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 1400pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 35V Current - Average Rectified (Io) 18A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 720mV @ 36A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 2.5mA @ 35V Kapazität @ Vr, F. 1400pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |