Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

VS-12TTS08-M3 Datenblatt

VS-12TTS08-M3 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 181,94 KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: VS-12TTS08-M3
VS-12TTS08-M3 Datenblatt Seite 1
VS-12TTS08-M3 Datenblatt Seite 2
VS-12TTS08-M3 Datenblatt Seite 3
VS-12TTS08-M3 Datenblatt Seite 4
VS-12TTS08-M3 Datenblatt Seite 5
VS-12TTS08-M3 Datenblatt Seite 6
VS-12TTS08-M3 Datenblatt Seite 7
VS-12TTS08-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Spannung - Aus Zustand

800V

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

15mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.2V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

8A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

12.5A

Current - Hold (Ih) (Max)

30mA

Current - Off State (Max)

50µA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

95A @ 50Hz

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB