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V1PM10HM3/H Datenblatt

V1PM10HM3/H Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: V1PM10HM3/H, V1PM10-M3/H
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V1PM10HM3/H Datenblatt Seite 4
V1PM10HM3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

770mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

100pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AD

Lieferantengerätepaket

MicroSMP (DO-219AD)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

V1PM10-M3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

770mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

100pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AD

Lieferantengerätepaket

MicroSMP (DO-219AD)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C