US5U2TR Datenblatt
US5U2TR Datenblatt
Total Pages: 5
Größe: 69,75 KB
Rohm Semiconductor
Website: https://www.rohm.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
US5U2TR
|
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 10V FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TUMT5 Paket / Fall 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
