UPA2765T1A-E2-AY Datenblatt
UPA2765T1A-E2-AY Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 144,06 KB
Renesas Electronics America
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
UPA2765T1A-E2-AY
|
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 32A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6550pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-HVSON (5.4x5.15) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
